鞏義市高峰機械生產的超細雷蒙磨機研磨加工備受關注的新一代半導體底板材料——碳化硅（SiC）晶圓的技術。目前已經開始面向研究機構及元件廠商開發(fā)部門供應樣品。
該技術采用了產業(yè)技術綜合研究所（產總研）公開的技術。其特點是采用了不向碳化硅結晶施加多余壓力的研磨加工，能夠降低加工變形并提高晶圓面精度。表面光潔度為0.1nm，達到了外延膜生長所需的Ra值（0.3nm）以下；而且能夠通過縮短研磨時間提高量產效率，有望成為備受期待的新一代半導體底板——碳化硅晶圓的實用化技術。除碳化硅外，還可用于加工市場正在快速擴大的白色LED底板材料藍寶石、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）結晶等。
碳化硅與目前半導體底板材料的主流——硅（Si）相比，具有耐高電壓、耐高溫、電力損失小的優(yōu)點，有望應用于發(fā)電及輸電等電力設備、通信系統(tǒng)和工廠的電源裝置、電車和汽車的驅動裝置等需要控制高電壓高電流的裝置。但是，由于碳化硅硬度較高，難以進行研磨加工，其量產技術過去一直是大問題。
